سامسونگ و تولید انبوه حافظههای eUFS با ظرفیت 512 گیگابایتی
سامسونگ الکترونیکس به عنوان بازیگر اصلی بازار حافظههای پیشرفته در دنیا، تولید حافظههای ۵۱۲ گیگابایتی از نوع eUFS را آغاز کرده است. این حافظه با هدف تامین نیازهای شرکتهای مختلف در تولید گوشیها و تبلتهای پرچمدارآینده به مرحلهی تولید انبوه رسیده است.
سامسونگ ۸ چیپ ۶۴ لایه از حافظههای V-NAND را با یک کنترلر در این eUFS جدید قرار داده است؛ این غول کرهای با هنرمندی تمام این کار را در همان ابعاد eUFS ۴۸ لایه و ۲۵۶ گیگابایتی پیشین انجام داده است. این حافظهی جدید به لطف ظرفیت بالای خود، قادر به ذخیرهی ۱۳۰ ویدئوی ۱۰ دقیقهای با رزولوشن 4K است.
برای بهینه کردن عملکرد و مصرف در این حافظههای جدید از چندین تکنولوژی اختصاصی و جدید استفاده شده است؛ طراحی مدار جدید در حافظههای ۶۴ لایهی V-NAND این شرکت در کنار تکنولوژی مدیریت مصرف انرژی تعبیه شده در کنترلر، مصرف eUFS جدید را کاهش داده است. علاوه بر این چیپ کنترلر جدید سامسونگ، سرعت فرآیند آدرسدهی را برای تبدیل آدرس بلوکهای منطقی به بلوکهای فیزیکی آنها سرعت بخشیده است.
به ادعای سامسونگ eUFS جدید و ۵۱۲ گیگابایتی این شرکت از نظر سرعت خواندن و نوشتن نیز عملکرد بسیار خوبی دارند. سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی در این حافظهها به ۸۶۰ و ۲۵۵ مگابایت بر ثانیه میرسد. این حافظهی جدید قادر است در کمتر از ۶ ثانیه یک ویدئوی فول اچدی ۵ گیگابایتی را به یک حافظهی اساسدی انتقال دهد؛ این سرعت تقریبا ۸ برابر انتقال چنین فایلی از یک حافظهی میکرو اسدی است. سامسونگ به صورت پیوسته ظرفیت تولید این حافظههای ۵۱۲ گیگابایتی را افزایش خواهد داد. تولید حافظههای ۵۱۲ گیگابایتی eUFS به معنی کاهش تولید نسخههای ۲۵۶ گیگابایتی قبلی نخواهد بود و ساموسنگ با توجه به بالا بودن تقاضا برای چنین حافظههایی به تولید آنها ادامه خواهد داد.